Наименование прибора: 2SK1202 Hitachi
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 110 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: TO3PI
Аналоги: BF410A, 2N5484